Güç kaynağını değiştirmenin temel prensibi, güç MOS tüpünü sürmek için PWM kare dalga kullanmaktır.
Bir güç kaynağı araştırma ve geliştirme mühendisi olarak, doğal olarak, genellikle çeşitli yongalarla uğraşırım. Bazı mühendisler çipin içini çok iyi bilmeyebilirler. Pek çok öğrenci, yeni bir çip uygularken doğrudan Veri Sayfasının uygulama sayfasına döner ve çevre birimini önerilen tasarıma göre oluşturur. Tamamlandı. Bu sayede uygulamada bir sorun olmasa bile daha fazla teknik detay göz ardı edilmiş ve kendi teknik büyümesi için daha iyi bir deneyim birikmemiş olur.
1. Referans voltajı
Kart düzeyinde devre tasarımının referans güç kaynağına benzer şekilde, çipin dahili referans voltajı, çipin diğer devreleri için kararlı bir referans voltajı sağlar. Bu referans voltajı, yüksek hassasiyet, iyi stabilite ve küçük sıcaklık kayması gerektirir. Çipin içindeki referans voltajı aynı zamanda bant aralığı referans voltajı olarak da adlandırılır, çünkü bu voltaj değeri silikonun bant aralığı voltajına benzer, bu nedenle bant aralığı referansı olarak adlandırılır. Bu değer, aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi bir yapı olan yaklaşık 1,2V'dir:
Burada PN bağlantısının formülü, akım ve gerilim formülü hakkında konuşmak için ders kitabına geri döneceğiz:
It can be seen that it is an exponential relationship, and Is is the reverse saturation leakage current (that is, the leakage current caused by the minority carrier drift of the PN junction). This current is proportional to the area of the PN junction! That is, Is->S.
Bu şekilde, Vbe=VT*ln(Ic/Is) çıkarılabilir!
Yukarıdaki şekle geri dönersek, VX=VY op amp tarafından analiz edilir, ardından I1*R1 artı Vbe1=Vbe2 olur, böylece şunu elde edebiliriz: I1=△Vbe/ R1 ve M3 ve M4'ün kapı gerilimleri aynı olduğundan, akım I1=I2 , dolayısıyla formül türetilmiştir: I1=I2=VT*ln (N/R1) ) N, Q1 Q2'nin PN bağlantı alanının oranıdır!
Yukarıdaki şekle geri dönersek, VX=VY op amp tarafından analiz edilir, ardından I1*R1 artı Vbe1=Vbe2 olur, böylece şunu elde edebiliriz: I1=△Vbe/ R1 ve M3 ve M4'ün kapı gerilimleri aynı olduğundan, akım I1=I2 , dolayısıyla formül türetilmiştir: I1=I2=VT*ln (N/R1) ) N, Q1 Q2'nin PN bağlantı alanının oranıdır!
Bu şekilde, sonunda Vref=I2*R2 artı Vbe2 karşılaştırmasını elde ederiz, anahtar nokta: I1'in pozitif bir sıcaklık katsayısı vardır ve Vbe'nin negatif bir sıcaklık katsayısı vardır ve ardından bunu N değeri üzerinden düzeltiriz, ancak çok iyi sıcaklık kompanzasyonu elde edebilir! kararlı bir referans voltajı elde etmek için. N genellikle endüstride 8'e göre tasarlanmaktadır. Sıfır sıcaklık katsayısı elde etmek istiyorsanız, formüle göre Vref=Vbe2 artı 17,2*VT'yi hesaplayın, yani yaklaşık 1,2V'dir. Seviye ile sınırlı olan ve derinleştirilemeyen güç kaynağı dalgalanma bastırma PSRR gibi sorunlar vardır. Son taslak şu şekildedir ve op amp'in tasarımı elbette çok özeldir:
