Anahtarlamalı Güç Kaynağından Kaynaklanan Elektromanyetik Uyumluluğun Nedenleri
24V anahtarlamalı güç kaynağının yüksek gerilim ve yüksek akımın anahtarlama durumunda çalışmasından kaynaklanan elektromanyetik uyumluluk sorununun nedeni oldukça karmaşıktır. Tüm makinenin Elektromanyetik uyumluluğu açısından bakıldığında, esas olarak ortak empedans kuplajı, hattan hatta kuplaj, elektrik alan kuplajı, manyetik alan kuplajı ve elektromanyetik dalga kuplajı vardır. Elektromanyetik uyumluluğun üç unsuru şunlardır: çizilme kaynağı, Patojen iletimi ve bozulmuş vücut. Ortak direnç bağlantısı temel olarak, bozulma kaynağı ile bozulan nesne arasındaki elektriksel olarak ortak empedansı ifade eder; bu empedans aracılığıyla bozulma sinyali bozulan nesneye girer. Hattan hatta bağlantı, temel olarak paralel kablolama nedeniyle çizik voltajı ve çizik akımı üreten kablolar veya PCB kabloları arasındaki karşılıklı bağlantıyı ifade eder.
Elektrik alanı eşleşmesi temel olarak potansiyel farklılıkların varlığından kaynaklanır ve bu da indüklenen elektrik alanlarının bozulan cisimle eşleşmesiyle sonuçlanır. Manyetik alan bağlantısı temel olarak yüksek akım darbeli güç hatlarının yakınında üretilen düşük frekanslı manyetik alanların bozucu nesneye bağlanmasını ifade eder. Elektromanyetik alan eşleşmesi temel olarak, uzayda dışarıya doğru yayılan ve ilgili bozulmuş gövdeyi birleştiren titreşimli voltaj veya akım tarafından üretilen yüksek frekanslı elektromanyetik dalgalardan kaynaklanır. Aslına bakılırsa, her bir birleştirme yöntemi kesin bir şekilde ayırt edilemez, yalnızca farklı odak noktaları vardır.
24V anahtarlamalı güç kaynağında ana güç anahtarı, yüksek voltajda yüksek frekanslı anahtarlama modunda çalışır. Anahtarlama voltajı ve akımı kare dalgalara yakındır. Spektrum analizinden kare dalga sinyalinin, kare dalga frekansının 1000 katının üzerinde bir frekans spektrumuna ulaşabilen zengin yüksek dereceli harmonikler içerdiği bilinmektedir. Aynı zamanda, güç transformatörünün Kaçak endüktansı ve dağıtılmış kapasitansı ile ana güç anahtarlama cihazının çalışma durumu ideal olmadığından, yüksek frekans açıldığında veya kapatıldığında, yüksek frekans ve yüksek voltaj tepe noktası Harmonik salınım sıklıkla üretilir. Harmonik salınım tarafından üretilen yüksek dereceli harmonikler, anahtar tüpü ile radyatör arasındaki dağıtılmış kapasitans aracılığıyla iç devreye iletilir veya radyatör ve transformatör aracılığıyla boşluğa yayılır.
Doğrultma ve sürekli akım diyotları için kullanıldığından, aynı zamanda yüksek frekanslı bozulmaların oluşmasının da önemli bir nedenidir. Doğrultucu ve Flyback diyot yüksek frekanslı anahtarlama durumunda çalıştığından ve diyotun ucundaki parazitik indüktansın, bağlantı kapasitansının ve ters toparlanma akımının etkisinin varlığından dolayı çok yüksek bir voltajda çalışırlar ve Akım değişim oranı ve yüksek frekanslı salınım üretir. Doğrultucu ve Flyback diyot genellikle güç çıkış hattına yakın olduğundan, bunların oluşturduğu yüksek frekanslı girişimin büyük olasılıkla DC çıkış hattı üzerinden iletilmesi muhtemeldir.
24V anahtarlamalı güç kaynaklarının güç faktörünü iyileştirmek için aktif güç faktörü düzeltme devreleri benimsenmiştir. Aynı zamanda devrenin verimliliğini ve güvenilirliğini artırmak ve güç cihazlarının elektriksel stresini azaltmak amacıyla çok sayıda yumuşak anahtarlama teknolojisi benimsenmiştir. Bunlar arasında sıfır gerilim, sıfır akım veya sıfır akım anahtarlama teknolojisi en yaygın kullanılanıdır. Bu teknoloji, anahtarlama cihazlarının oluşturduğu elektromanyetik paraziti büyük ölçüde azaltır. Bununla birlikte, yumuşak anahtarlamalı kayıpsız absorpsiyon devreleri, tek yönlü enerji dönüşümü elde etmek için diyotların tek yönlü iletkenliğinden yararlanarak enerji aktarımı için çoğunlukla L ve C'yi kullanır. Bu nedenle, bu rezonans devresindeki diyotlar, elektromanyetik bozulmanın önemli bir kaynağı haline gelir.
24V anahtarlamalı güç kaynaklarında, enerji depolama indüktörleri ve kapasitörler genellikle diferansiyel ve ortak mod bozulma sinyallerini filtrelemek ve AC kare dalga sinyallerini düzgün DC sinyallerine dönüştürmek için L ve C filtreleme devreleri oluşturmak için kullanılır. Endüktans bobininin dağıtılmış kapasitansı nedeniyle, endüktans bobini
