Günümüzde, yüksek güçlü yarı iletken lazerlerin uygulanması, veri depolama, fiber optik iletişim, lazer fünye, holografik teknoloji, taramalı baskı, eğlence performansı vb. dahil askeri havacılık, endüstriyel üretim, tıp ve sağlık hizmetleri dahil olmak üzere neredeyse tüm yüksek teknoloji alanlarını kapsamaktadır. Bunun nedeni, düşük fiyat, güçlü entegrasyon, düşük güç tüketimi ve yüksek verimlilik gibi birçok avantajından kaynaklanmaktadır. 808nm yüksek güçlü yarı iletken lazer, daha önce başlayan ve daha derinlemesine incelenen bir tür yarı iletken lazerdir. En önemli uygulamalarından biri, katı hal lazerleri için bir pompa kaynağı olarak kullanılmasıdır. Şimdi temel olarak geleneksel lamba pompası kaynağının yerini aldı. Bunun ana nedeni, geleneksel lamba pompalamanın elde edemediği yüksek dönüştürme verimliliğidir. 905nm yüksek güçlü yarı iletken lazerler insan gözüne zararsızdır, bu nedenle lazer göz terapisi, kızılötesi gece görüşü, sanal gerçeklik vb. alanlarda yaygın olarak kullanılırlar. Bu yazıda tasarlanan yarı iletken lazerlerin tümü, yalnızca katastrofik boşluk yüzeyinin hasar eşiğini iyileştirmekle kalmayan, aynı zamanda yüksek dereceli mod lazerini de bastıran büyük bir boşluk yapısını benimser. 808nm yarı iletken lazerin kuantum kuyusu, sırasıyla InAlGaAs ve GaAsP'yi kullanır ve alüminyum içermeyen GaAsP kuantum kuyusunun kullanılması, cihazın güvenilirliğini artırmak için faydalıdır. 905nm lazer, lazerin dahili kuantum verimliliğini önemli ölçüde artırabilen çok aktif bölge tünel kademeli yapısını benimser. Bu makale temel olarak 808nm ve 905nm yüksek güçlü yarı iletken lazerleri aşağıdaki yönlerden incelemektedir: İlk olarak, yarı iletken lazerlerin geliştirme geçmişi, araştırma durumu ve uygulamaları tanıtılmaktadır. İkinci olarak, epitaksiyel gofret büyütme ekipmanı ve test ekipmanının çalışma prensibi ve önlemleri açıklanmıştır. Bu laboratuvarda, epitaksiyel gofret büyütme için Amerika Birleşik Devletleri'ndeki Vecco firmasının EMCORE D125 metal-organik bileşik buhar biriktirme (MOCVD) sistemi kullanılmaktadır. Test ekipmanı, Philips şirketinin PLM-100 optik floresan spektrum test sistemi ve Accent PN44{{40}}0'nin elektrokimyasal CV modelidir. (ECV) test sistemi. Ardından, gerilmiş kuantum kuyusunun bant aralığının hesaplanması, bant sırasının hesaplanması, kalıcı dalga boyu ile kuantum kuyusu malzeme bileşimi ve kuyu genişliği arasındaki ilişki dahil olmak üzere tipik bir gerilmiş kuantum kuyusu yarı iletken lazerin tasarım süreci tanıtılır. , vb. Simülasyon, Kohn-Luttinger Hamilton tabanlı bir transfer matrisi kullanır. Yukarıdaki teoriye dayanarak, kuantum kuyularının malzeme bileşimini ve kuyu genişliğini belirlemek için 808nm ve 905nm yarı iletken lazerlerin aktif bölgesi üzerinde simülasyonlar gerçekleştirildi. 808nm yarı iletken lazer kuantum kuyuları, sırasıyla 10nm In0.14Al0.11Ga0.75As ve 12nm kullandı. GaAs0.84P0.16, 905nm yarı iletken lazer kuantum kuyusu, 7nm In0.1Ga0.9As'ı benimser ve aktif bölge, çift kuantum kuyusu yapısını benimser. 808nm ve 905nm yarı iletken lazerlerin bariyer katmanı ve dalga kılavuzu katmanı Al0.3Ga0.7As'dir ve hapsetme katmanı Al0.5Ga0.5As'dir. Bu temelde, aktif bölge yapısı üzerinde MOCVD epitaksiyel büyümesi gerçekleştirilir ve yapı ve epitaksiyel koşullar PL test sonuçlarına göre optimize edilir ve son olarak optimize edilmiş aktif bölge yapısı elde edilir. Son olarak, epitaksi optimizasyonundan sonra kuantum kuyusu aktif bölgesi temelinde, dalga kılavuzu tabakasının, hapsetme tabakasının, kapak tabakasının vb. yapı fotolitografiye tabi tutulur. , korozyon, biriktirme, püskürtme, parçalama, kaplama, sinterleme, basınçlı kaynak, paketleme ve diğer son işlemler, bitmiş lazer kalıbı hazırlanır. Performansın artıları ve eksileri
