Switch güç kaynağı dağılmasını ölçmek için dijital osiloskop kullanma
Anahtar modu güç kaynağı cihazında dağıtılan güç nedeniyle, güç kaynağı termal etkisinin genel verimliliği belirlenir. Bu nedenle, anahtar modu güç kaynağı cihazının ve indüktör/transformatörün güç kaybının ölçülmesi son derece önemli bir ölçüm görevidir. Bu ölçüm güç verimliliğini ve ısı dağılmasını belirleyebilir.
Güç kaybının ölçümü ve analizi
Güç kaybı ölçümü için gereken test ekipmanı
Anahtar dönüşümü için basitleştirilmiş devre. MOSFET Alan Etkili Güç Transistörü, 40kHz saatinin uyarılması altında akımı kontrol eder. Şekil 1'deki MOSFET, AC besleme hattı zemine veya devre çıkış topraklamasına bağlı değildir, yani zeminden izole edilmiştir. Bu nedenle, bir osiloskop kullanarak basit zemin referans voltaj ölçümleri yapmak mümkün değildir, çünkü probun toprak telini MOSFET'in herhangi bir terminaline bağlamak, o nokta ile osiloskop boyunca toprak arasında kısa bir devreye neden olacaktır.
Bu durumda, diferansiyel ölçüm M 0 SFET'in voltaj dalga formunu ölçmek için mükemmel bir yöntemdir. Diferansiyel ölçümle, MOSFET'lerin drenaj ve kaynak terminallerindeki voltaj olan VDS'yi belirleyebilirsiniz. VDS, güç kaynağı cihazının voltaj aralığına bağlı olarak onlarca voltaj aralığı ile yüzlerce volt ile voltajın üzerinde dalgalanabilir. VDS'yi çeşitli yöntemlerle ölçebilirsiniz:
· Yüzen osiloskopun şasi öğütülmüş teli. Son derece zararlı olduğu ve kullanıcı, test edilen cihaz ve osiloskop için bir tehlike oluşturduğu için kullanmaması önerilir.
· İki geleneksel tek uçlu pasif prob kullanın, topraklama kablolarını birbirine bağlayın ve ardından osiloskopun kanal hesaplama fonksiyonunu kullanarak ölçün. Bu ölçüm yöntemine yarı diferansiyel ölçüm denir. Bununla birlikte, pasif problar osiloskoplardaki amplifikatörlerle birlikte kullanılabilse de, herhangi bir ortak mod voltajını uygun şekilde önleyebilen "ortak mod reddetme oranı" (CMRR) fonksiyonundan yoksundurlar. Bu ayar voltajı doğru bir şekilde ölçemez, ancak mevcut problar kullanılabilir.
· Osiloskop şasisini izole etmek ve topraklamak için mağazada bulunan prob izolatörü kullanın. Probun topraklama teli artık ana topraklama potansiyeline sahip olmayacak ve prob doğrudan bir test noktasına bağlanabilir. Prob izolatörleri etkili bir çözümdür, ancak diferansiyel problar için iki ila beş bit maliyetle nispeten pahalıdırlar.
· Geniş bant osiloskopunda gerçek bir diferansiyel prob kullanın. VDS'yi de iyi bir yöntem olan bir diferansiyel prob kullanarak ölçebilirsiniz.
Akımı MOSFET üzerinden ölçerken, önce akım probunu kelepçeleyin ve ardından ölçüm sistemini ince ayarlayın. Birçok diferansiyel prob, yerleşik DC ofseti ince ayar kapasitörleri ile donatılmıştır. Test altındaki cihazı kapatın ve osiloskop ve osiloskop tarafından ölçülen akım dalga formlarının ortalama değerlerini ayarlamadan önce osiloskop ve probun ısınmasını bekleyin. Hassasiyet ayarı gerçekten ölçülen değerleri kullanmalıdır. Bir sinyalin yokluğunda, her dalga formunun sıfır konum ortalamasını 0 v olarak ayarlamak için ince ayar kapasitörünü ayarlayın. Bu adım, statik voltaj ve ölçüm sistemindeki akımın neden olduğu ölçüm hatalarını büyük ölçüde azaltabilir.
