Anahtarlama Güç Kaynağı RCD Spike Emilim Devre Prensibi Analizi
Transistörün rolünü telafi etmek için bir rampa dalgası kullanan anahtarlama güç kaynağına yönelik bu makalede, R4,D1,C6'nın rolü ve prensibi anlatılmaktadır. Anahtarlamalı güç kaynağının her bir bileşeninin rolünü analiz etmenizi sağlayacağız.
4 direnç, D1 diyot, C6 kondansatör bir spike soğurma devresidir, çünkü bu bir direnç-kondansatör-diyot devresidir, RCD soğurma devresi olarak anılır. Peki neden bir spike emme devresi ekleyelim? Bunun nedeni, MOS tüpünün aşırı voltaj arızasını korumanın ve tepe voltajını MOS tüp dayanım voltajıyla sınırlamanın gerekli olmasıdır. MOS tüpünün güvenli bir şekilde çalışabilmesi için peki nasıl çalışıyor?
Transformatör üretimi sonucunda belirli bir kaçak endüktans olacaktır, kaçak endüktans nedir, transformatörün dönüş oranı ve transformatörde üretilen sargı bobinleri birincil enerjinin tamamen ikincil enerjiye aktarılamaması, daha sonra endüktans nedeniyle oluşacaktır. Ters bir elektromotor kuvveti üretir, bu da ters bir voltajla sonuçlanır ve besleme voltajının üst üste binmesi bir voltaj yükselmesine neden olur; bu voltaj, MOS tüpünün bozulması olan MOS'un dayanma voltajının değerinden daha fazla olacaktır.
Bu nedenle, ters elektromotor kuvveti tarafından üretilen bobini absorbe etmek için transformatör birincil bobinindeki ani emme devresine katılmanız gerekir, RCD emme devresine katıldı, RCD çalışma süreci, MOS tüp iletimi olduğunda, voltaj içinden akar. Transformatör birincil bobini, MOS tüpü kapatıldığında bobini şarj eder, indüktör ters bir elektromotor kuvveti üretir, transformatörün ikincil voltaj çıkışı, birincil bobinin sızıntısı nedeniyle diyot üzerinden ikincil bobine tamamen aktarılamaz, fazlalık . Hepsi sekondere aktarılamaz, fazla enerji besleme voltajı ile üst üste bindirilir, bu da ani bir voltaja neden olur, ani voltaj C6 kondansatörü üzerindeki D1 diyotu üzerinden şarj edilir, MOS iletkeninde tekrar iletken olur, C6 kondansatörü üzerinde R4 direnci üzerinden voltaj boşalır, direnç üzerinden fazla enerji tüketilir, bir çalışma döngüsünün RCD'si tamamlanır, bir sonraki döngüye devam edilir.
Burada hızlı kurtarma diyotu, direnç ve kapasitans parametrelerini belirlemek için devre hata ayıklamasına göre diyot seçimi, direnç değerinin boyutu, enerji emilimi ne kadar büyük olursa, verimliliği etkileyecektir, amaçları devreyi tüketmektir. fazla enerji üretir, devrenin kendi enerjisini tüketemez, bu da birincil elektromotor kuvveti etkiler, elektromotor kuvvetin sekondere aktarımı daha az olur, bu da dönüşüm verimliliğini azaltır. Direnç değeri çok büyük, deşarjda deşarj hızı yavaş, ani voltaj yavaşça düşecek, ani voltaj MOS tüp dayanım voltajını aşacak ve MOS tüpünün bozulmasına neden olacak. Böylece devre hata ayıklamasında direncin değeri seçilir, MOS tüpünün D kutbunun dalga biçimini görmek için bir osiloskopla hata ayıklama yapılır, ani voltaj artışını açıkça görebilirsiniz, direnç değişimi ani voltajı değiştirebilir, kapasitans da değişebilir Ani voltajın büyüklüğü ve dirençlerin kullanımı ile nihai amaç, spike voltajını absorbe etmektir, fazla enerji, devrenin enerjisini tüketemez.
Emilim devresi üç çeşittir; biri RCD, TVS geçici bastırma diyotu hızlandırılmış kurtarma diyotu bileşimi, voltaj regülatör diyotları ve hızlı kurtarma diyotu tüpü var, her birinin kendi avantajları ve dezavantajları var, RCD devresi daha çok kullanılıyor, son ikisi de sıklıkla görülür. Güç kaynağını değiştirmek
