Güç kaynağı EMI teknolojisinin parazit kaynaklarına giriş
(1) Güç Anahtarı Tüpü
Güç anahtarı, hem DV/DT hem de DI/DT hızla değişen açık bir hızlı bisiklet durumunda çalışır. Bu nedenle, güç anahtarı sadece elektrik alan birleştirmenin ana parazit kaynağı değil, aynı zamanda manyetik alan birleştirmenin ana parazit kaynağıdır.
(2) Yüksek frekanslı transformatörlerin EMI kaynağı, esas olarak sızıntı endüktansına karşılık gelen DI/DT'nin hızlı döngüsel dönüşümüne yansır, bu da yüksek frekanslı transformatörleri manyetik alan birleştirme için önemli bir girişim kaynağı haline getirir.
(3) doğrultucu diyot
EMI doğrultucu diyot kaynağı esas olarak ters iyileştirme özelliklerine yansır. Ters iyileşme akımının aralıklı noktası, endüktans (kurşun endüktansı, başıboş endüktans vb.) Oluşturarak güçlü elektromanyetik parazitte yüksek DV/DT üretecektir.
(4) PCB
Daha kesin olarak, PCB, yukarıda belirtilen girişim kaynağının birleştirme kanalıdır ve PCB'nin kalitesi, yukarıda belirtilen EMI kaynağını bastırmanın etkinliğine doğrudan karşılık gelir.
Yüksek frekanslı transformatörlerde sızıntı endüktansının kontrolü
Yüksek frekanslı transformatörlerin sızıntı endüktansı, güç anahtarları kapatıldığında tepe voltajının üretilmesinin önemli nedenlerinden biridir. Bu nedenle, sızıntı endüktansının kontrol edilmesi, yüksek frekanslı transformatörlerin neden olduğu EMI'yi çözmek için birincil sorun haline gelmiştir.
Yüksek frekanslı transformatör sızıntısı endüktansını azaltmak için iki giriş noktası: elektrik tasarımı ve süreç tasarımı!
(1) Sızıntı endüktansını azaltmak için uygun bir manyetik çekirdek seçin. Sızıntı endüktansı orijinal kenar dönüşlerinin karesi ile orantılıdır ve dönüşlerin azaltılması sızıntı endüktansını önemli ölçüde azaltacaktır.
(2) Sargılar arasındaki yalıtım tabakasını azaltın. Artık 20-100 um kalınlığında "Altın Film" adlı bir yalıtım tabakası ve birkaç bin voltluk bir nabız bozulma voltajı var.
(3) Sargılar arasındaki bağlantı derecesini arttırın ve sızıntı endüktansını azaltın.
