İletişim anahtarlamalı güç kaynaklarının özellikleri
Modern elektronik teknolojisinin ve güç cihazlarının gelişmesiyle birlikte, anahtarlamalı güç kaynakları, özellikle program kontrollü olarak küçük boyutları, hafifliği, yüksek performansı ve yüksek güvenilirliği nedeniyle iletişim sistemlerinde, otomatik kontrolde, ev aletlerinde ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Anahtarlama, optik veri iletimi, kablosuz baz istasyonları, kablolu TV sistemleri ve IP ağları, bilgi teknolojisi ekipmanlarının normal çalışması için temel güçtür. Bununla birlikte, iletişim anahtarlamalı güç kaynağı genellikle darbe genişliği modülasyonu (PWM) teknolojisini benimser ve anahtarlama cihazları yüksek frekanslı açma-kapama durumunda çalışır. Yüksek frekanslı hızlı geçici sürecin kendisi elektromanyetik girişimin kaynağı olduğundan, ürettiği elektromanyetik girişim (EMI) sinyali geniş bir frekans aralığına ve belirli bir genliğe sahiptir. Elektromanyetik ortamı iletim ve radyasyon yoluyla kirletecek ve iletişim ekipmanı ve elektronik ürünlerde parazite neden olacaktır. Buna ek olarak, iletişim anahtarlamalı güç kaynağının, özellikle yıldırım çarpması, dalgalanma, şebeke voltajı, elektrik alanı, manyetik alan, elektromanyetik dalga, elektrostatik deşarj, darbe dizisi, voltaj düşüşü, radyo frekansı elektromanyetik alanı için elektromanyetik girişime karşı güçlü bir direnme yeteneğine sahip olması gerekir. iletim bağışıklığı, radyasyon Bağışıklık, iletilen emisyon ve yayılan emisyon gibi öğelerin ilgili EMC standartlarının gerekliliklerini karşılaması gerekir.
Çin'de 1980'li ve 1990'lı yıllarda mevcut evsel elektromanyetik kirliliğin kontrolünü güçlendirmek amacıyla CISPR standartları ve IEC801 gibi uluslararası standartlara karşılık gelen bazı standartlar formüle edildi. Çin Zorunlu Sertifikasyonu (Çin Zorunlu Sertifikasyonu)-K'nin 1 Ağustos 2003'te yürürlüğe girmesinden bu yana, "EMC ateşi" başlatıldı. Yakın mesafeden elektromanyetik girişimin araştırılması ve kontrolü elektronik araştırmacıların giderek daha fazla ilgisini çekmektedir. Araştırma alanında yeni bir sıcak nokta. Bu makale, iletişim anahtarlamalı güç kaynağının elektriksel girişiminin üretim mekanizması için ilgili bastırma teknolojisini sistematik olarak tartışacaktır.
1 İletişim anahtarlamalı güç kaynağının özellikleri ve elektromanyetik girişim mekanizması
1.1 Anahtarlamalı güç kaynağının temel özellikleri
Anahtarlamalı güç kaynağının dört temel özelliği vardır:
①Konum nispeten açıktır. Temel olarak bunlara bağlı güç anahtarlama cihazları, diyotlar, radyatörler ve yüksek frekanslı transformatörlere odaklanın;
②Enerji dönüşüm cihazı anahtarlama durumunda çalışır. Anahtarlamalı güç kaynağı, anahtarlama durumunda çalışan bir enerji dönüşüm cihazı olduğundan, voltajı ve akım değişim oranı çok yüksektir ve üretilen girişim yoğunluğu nispeten büyüktür;
③ Güç baskılı devre kartı (PCB) kablolaması genellikle manuel olarak düzenlenir. Bu düzenleme onu oldukça rastgele hale getirir, bu da PCB dağıtım parametrelerinin çıkarılması ve yakın alan girişiminin tahmin edilmesi ve değerlendirilmesinin zorluğunu artırır;
④ Anahtarlama frekansı büyüktür; onbinlerce Hz'den birkaç megahertz'e kadar değişir. Girişimin ana biçimleri iletim girişimi ve yakın alan girişimidir.
1.2 Elektromanyetik girişim mekanizması
1.2.1 Anahtarlama devreleri tarafından oluşturulan elektromanyetik girişim
Anahtarlama devresi, anahtarlamalı güç kaynağının çekirdeğidir. Esas olarak bir anahtarlama tüpü ve bir yüksek frekanslı transformatörden oluşur. Onun ürettiği dv/dt, nispeten büyük genliğe, geniş frekans bandına ve zengin harmoniklere sahip bir darbedir. Bu darbe girişiminin iki ana nedeni vardır: Bir yandan anahtar tüpü yükü, endüktif bir yük olan yüksek frekanslı transformatörün birincil bobinidir. Anahtar tüpü açıldığında, birincil bobin büyük bir ani akım üretir ve birincil bobinin her iki ucunda da yüksek bir dalgalanma tepe voltajı belirir; Anahtar tüpü kapatıldığında, birincil bobinin kaçak akısı nedeniyle enerjinin bir kısmı Birincil bobinden ikincil bobine iletim yoksa, indüktörde depolanan enerjinin bu kısmı zayıflatıcı bir akım oluşturacaktır. kolektör devresindeki kapasitans ve direnç ile bir ani yükselme ile salınım, bu, bir kapatma voltajı yükselmesi oluşturmak için kapatma voltajının üzerine bindirilir. Bu güç kaynağı voltajı kesintisi, birincil bobin açıldığındakiyle aynı geçici mıknatıslanma ani akımını üretecek ve bu gürültü, iletilen girişim oluşturmak için giriş ve çıkış terminallerine iletilecektir. Öte yandan, darbe transformatörünün birincil bobini, anahtarlama tüpü ve filtre kapasitörü tarafından oluşturulan yüksek frekanslı anahtarlama akımı döngüsü, geniş alan radyasyonu üretebilir ve radyasyon girişimi oluşturabilir.
1.2.2 Diyotun ters toparlanma süresinden kaynaklanan girişim Yüksek frekanslı doğrultma devresindeki doğrultucu diyot ileri iletken olduğunda, içinden büyük bir ileri akım akar. Ters polarlama yapıldığında ve kesime çevrildiğinde, daha fazla taşıyıcının varlığı nedeniyle birikir, böylece taşıyıcılar kaybolmadan önce akım bir süre ters yönde akacak ve bu da ters toparlanmada keskin bir düşüşe neden olacaktır. taşıyıcının kaybolması akımı ve büyük bir akım değişimi
