Stratejik olarak gelişen endüstri LED'inde mikroskobun uygulanması
1, Safir substrat malzemelerinin tanıtımı
Safirin iyi yalıtım özelliklerinden dolayı dielektrik kaybı azdır, yüksek sıcaklık dayanımı, korozyon direnci. İyi ısı iletkenliği, mekanik mukavemeti yeterince yüksektir. Ve düz bir yüzeye işlenebilir. İletim bandı geniştir. Bu nedenle sanayide, milli savunmada, bilimsel araştırmalarda birçok alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. Aynı zamanda çok çeşitli ışık yayan diyotlar için de iyi bir alt tabaka malzemesidir. Işık yayan diyotların üretiminde, gelecek nesil floresan lambalar, yarı iletken ışık yayan cihaz substrat malzemeleri ile safir substrat substratının yüksek parlaklıkta ışık yayan diyot ailesi haline gelme sözü verilmektedir. Şu anda, bu yüksek parlaklıktaki ışık yayan diyotlar reklamlarda, trafik ışıklarında, gösterge ışıklarında yaygın olarak kullanılmaktadır; ve cerrahi ışıklar ve diğer alanlar. Yüksek parlaklıkta ışık yayan diyotların artan uygulamasıyla birlikte.
LED Safir (Safir), korindon olarak da bilinen tek bir alüminyum oksit kristalidir. Safir kristal mükemmel optik özelliklere, mekanik özelliklere ve kimyasal stabiliteye, yüksek mukavemete, sertliğe, yıkanma direncine sahiptir, zorlu koşullar altında 2000 dereceye yakın yüksek sıcaklığa yakın olabilir. Araştırmaya göre LED'lere uygulanabilecek yalnızca dört alt tabaka malzemesi var (aşağıdaki Tablo I'e bakınız). Önemli bir teknoloji kristali olan safir, LED endüstrisinde artık daha moda ve olgunlaşmış uygulamalar oluşturmuştur.
2. Başvurular
Leica'nın polarizasyon mikroskobunu kullanarak safir kristallerdeki anormal çift kırılmayı tespit etmek mümkündür. Belirli koşullar altında, koni ışık mikroskobu yardımıyla, kristalin girişim desenini gözlemleyebilir, kristalin eksenelliğini belirleyebilirsiniz; bu, her bir levhanın yönünün tekdüze olup olmadığını gözlemlemek için kullanılır; alt tabakanın iyi veya iyi olup olmadığına karar verebilirsiniz. kötü.
Leica mikroskobu, LED epitaksiyel levha üretiminde taramalı elektron mikroskobu, LED çip hazırlama prosesi uygulamaları
1, LED epitaksiyel gofretin tanıtımı
LED epitaksiyel gofret büyümesinin temel prensibi şu şekildedir: substrat substratının (esas olarak safir ve SiC, Si) uygun sıcaklığına kadar ısıtılan bir parçada, InGaAlP gazlı maddenin substrat yüzeyine kontrollü taşınması, büyümesi özel tek kristal film. Mevcut LED epitaksiyel levha büyüme teknolojisi esas olarak organik metal kimyasal buhar biriktirme yöntemini (MOCVD) kullanır
2, LED çip tanıtımı
LED ışık yayan çip olarak da bilinen LED çipi, PN bağlantısı olarak da adlandırılan led ışığın temel bileşenidir. Ana işlevi şudur: Elektrik enerjisini ışık enerjisine dönüştürmek için çipin ana malzemesi monokristalin silikondur. Yarı iletken çip iki parçadan oluşur, bir kısmı deliklerin hakim olduğu P tipi yarı iletken, diğer ucu N tipi yarı iletkendir, bu tarafı esas olarak elektroniktir. Ancak bu iki yarı iletken bağlandığında aralarında bir PN eklemi oluşur. Tel üzerinden akım bu tabakaya etki ettiğinde elektronlar, elektronların deliklerle birleştiği P bölgesine itilir ve ardından LED lüminesansının prensibi olan fotonlar şeklinde enerji yayılır. Işığın rengi olan ışığın dalga boyu ise PN bağlantı malzemelerinin oluşumuyla belirlenir.
3, Uygulama:
a) Epitaksiyel levha büyümesinden sonra kristal yüzeyinin dislokasyon korozyon morfolojisi bilgisini tespit etmek için SEM'i kullanın;
Kristal yüzeyinin dislokasyon korozyonu morfolojisinin sağladığı önem: dislokasyon korozyonu her numunenin farklı şekiller sunması ve kristalin nokta grubuna ait olması ve kristalin yapısının kimyasal aşındırıcı ajanın molekülleri yok etme rolü ile belirlenmesidir. ve kristaller içindeki atomlar arasındaki bağlanma etkileşimleri, daha küçük olanların bağlanma kuvveti ilk önce yok edilir, böylece belirli bir noktanın korozyonunun belirli bir şekli oluşturulur, böylece bir korozyonun korozyonunun iyi bir görüntüsü olur. nokta ** oluşturmanın ayrıntıları olmuştur, kristal büyüme modelinin kalitesinde tamamen somutlaştırılabilir.
